答案：

一，等離子增強化學(xué)氣相沉積，等離子體是物質(zhì)分子熱運動(dòng)加劇，相互間的碰撞會(huì )導致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會(huì )變成自由運動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

?二，據測算，光在硅表面的反射損失率高達35%左右，減反膜可以極高地提高電池片對太陽(yáng)光的利用率，有助于提高光生電流密度，進(jìn)而提高轉換效率，同時(shí)薄膜中的氫對于電池片表面的鈍化降低了發(fā)射結的表面復合速率，減小了暗電流，提升了開(kāi)路電壓，提高了光電轉換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵，游離出來(lái)的H進(jìn)一步加強了對電池的鈍化。由于光伏級硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導致硅中少子壽命及擴散長(cháng)度降低，從而導致電池的轉換效率下降，H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價(jià)帶或者導帶。

?三、PECVD原理

PECVD 系統是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲在硅片上的氮化硅。可以根據改變硅烷對氨氣的比率，來(lái)得到不同的折射指數。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

在真空、480攝氏度的環(huán)境溫度下，通過(guò)對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2